南安市三晶阳光电力有限公司
企业简介
  南安市三晶阳光电力有限公司成立于2007年7月,注册资本8000万元。专业从事物理法太阳能级硅材料的应用加工,同时涵盖了太阳能光伏产业链全部环节。公司建设的35MW太阳能生产线规划用地50亩,总投资2亿元。计划建设生产、科研及辅助用房面积约13200 m2 ,购置主要生产设备仪器109台(套),形成完整的、独具特色的太阳能光伏产业链。该项目作为福建省太阳能产业公共平台,联合中科院福建物质结构研究所、上海交大、中山大学、厦门大学等科研院所及高校,共同研发高效率太阳电池制作工艺;物理法太阳能级硅材料拉晶、多晶铸锭及多线切割工艺;物理法太阳能级硅材料拉晶、多晶铸锭及多线切割工艺;物理法太阳能级硅片的电池制作工艺。同时也将作为太阳能产业人才培养基地,每年将培养200名技术人员,为福建省的光伏产业提供坚实的基础,创造出良好的发展契机。一期工程已于2007年11月30日封顶,建筑面积约6000平方米。并于2007年12月31日拉制出福建省首根大直径单晶硅棒,填补了福建省在太阳能领域的空白。公司在2008年引进晶体制作、切片、电池生产等设备,形成完整的光伏产业链。整个项目预计硅料年产量可达200吨,光伏电池年产量35MW,总产值达12亿元,同时可以提供数个业岗位,兼具良好的经济效益和社会效益。公司还于2011年开始新上总产能115MW的太阳能电池片生产线,扩大公司的业务。 南安市三晶阳光电力有限公司是156*156多晶太阳能电池片、单晶硅、多晶硅、156*156准单晶太阳能电池片、125*125太阳能电池片、准单晶、代加工太阳能电池片、硅料、太阳能电池组件等产品专业生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体系。南安市三晶阳光电力有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。
南安市三晶阳光电力有限公司的工商信息
  • 350583100032731
  • 913505836628345730
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2007年07月02日
  • 郑智雄
  • 8000.000000
  • 2007年07月02日 至 2027年07月01日
  • 福建省南安市市场监督管理局
  • 2016年06月14日
  • 南安市霞美镇光电信息产业基地
  • 生产销售:太阳能光伏材料、太阳能电池(太阳电池)及太阳(能)电池组件、硅片、硅棒、硅制品、销售:铁合金、有色金属;经营本企业自产产品的出口业务和与本企业生产相关的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务(国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外)。(以上经营范围涉及许可经营项目的,应在取得有关部门的许可后方可经营)
南安市三晶阳光电力有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 3938060 FJSJ 2004-03-02 多晶硅;单晶硅;半导体器件;调制解调器;半导体;精密测量仪器;太阳能电池;工业操作遥控电器设备;电子布告板;集成电路卡 查看详情
南安市三晶阳光电力有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN101707219A 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 2010.05.12 本发明涉及太阳能电池,特别是指本征隔离结构太阳能电池及其制造方法,它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/
2 CN103378213A 一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法 2013.10.30 该发明涉及一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法,属于太阳能电池领域。本发明在原有晶体硅太阳
3 CN102790125A 一种提升太阳能电池效率的方法 2012.11.21 本发明涉及一种提升太阳能电池效率的方法,属于太阳能电池领域。本发明在太阳能电池成品原有的减反射膜上,
4 CN102790124A 一种彩色太阳能电池的制作方法 2012.11.21 本发明涉及一种彩色太阳能电池制作的方法,属于太阳能电池领域。本发明通过在硅PN结上制备钝化膜,经丝网
5 CN102709378A 一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 2012.10.03 本发明涉及一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法,属于太阳能电池领域。本发明在原有晶体硅太阳能电
6 CN101559947B 一种硅的冶炼方法 2012.07.11 本发明公开了一种硅的冶炼方法。本发明通过在碳粉和二氧化硅粉混匀体中加入碱性溶液腐蚀二氧化硅粉体的表面
7 CN101660197B 一种低纯度硅制备单晶棒的方法 2012.07.11 一种低纯度硅制备单晶棒的方法,涉及单晶硅的制备领域。本发明的方法包括加料,抽真空,熔化,仔晶浸入,细
8 CN101762158B 一种采用液态滤网冶金提纯的方法和装置 2012.06.06 一种采用液态滤网冶金提纯的方法和装置,属于冶金领域。本发明专利方法包括,定向凝固冶金提纯金属过程中加
9 CN101709503B 一种延长单晶炉真空泵寿命的方法 2012.06.06 本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的方法。本发明的方法是在真空泵和炉室之间的真空抽气管道上安置一个油
10 CN101709504B 一种延长单晶炉真空泵寿命的装置 2012.06.06 本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的装置。该装置包括一过滤器腔体,一位于腔体顶部的过滤器盖,一位于过
11 CN101863476B 一种去除硅中硼元素的方法 2012.05.30 一种去除硅中硼元素的方法,涉及半导体材料领域。本发明的方法是利用硅合金特性,将硅和液态时可溶解硼的金
12 CN101760777B 一种液相外延法制取薄膜的装置 2012.05.30 一种液相外延法制取薄膜的装置,涉及一种外延生长设备。其包括:一阀室,阀室内装有一升降旋转轴;一炉室,
13 CN101660209B 一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置 2012.05.30 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置,该方法包括将多晶硅铸锭从炉室中取出后,立即放置于一个与
14 CN101760665B 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法 2012.01.04 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法,属于复合材料领域。该方法按以下步骤进行:按照配比计算
15 CN101660200B 一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉 2011.12.28 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空,再充氩气至正压状态的气压模
16 CN101969087B 一种提高太阳能电池效率的方法 2011.12.28 该发明涉及一种提高太阳能电池效率的方法,属于太阳能电池领域。本发明利用掩膜的方式,对成品太阳能电池受
17 CN101660201B 一种多晶硅铸锭炉保温系统 2011.11.30 本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的保温系统,其包括炉体,炉体内绕炉体四周设一金属框架,在金属框架侧壁内还设
18 CN101760779B 一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法 2011.11.30 一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法,属于冶金提纯领域。本发明的方法是在硅定向凝固提纯过程中加入一定量熔
19 CN101714592B 低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法 2011.11.09 本发明涉及晶体硅太阳能电池领域,特别是指低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法,将纯度为4N~5.5N的硅
20 CN101712474B 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法 2011.09.28 本发明公开了采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法,该方法采用中频感应炉,按一定质量比加入硅和铝
21 CN101714593B 一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法 2011.09.28 本发明涉及晶体硅太阳能电池领域,特别是指一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法,将纯度为4N~5.5N
22 CN101764178B 一种硅基太阳能薄膜的制备方法 2011.09.28 一种硅基太阳能薄膜的制备方法,属于半导体材料及太阳能电池材料领域。该方法包括以下步骤:首先将溶剂合金
23 CN101386411B 一种使用惰性气体助熔金属硅的方法 2011.08.10 本发明公开了一种使用惰性气体助熔金属硅的方法。本发明采用在石墨坩埚中通入惰性气体,促进硅熔体和坩埚的
24 CN101559949B 一种混合气体导入金属硅熔液的方法 2011.07.27 一种混合气体导入金属硅熔液的方法,用于去除金属硅中P、B、O、C杂质。首先采用微米级的耐高温的金属氧
25 CN101660208B 一种减少多晶硅铸锭应力的方法 2011.07.27 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法。本发明是将多晶硅锭放置于超声振荡清洗机中,同时放入100℃的
26 CN101707219B 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 2011.06.22 本发明涉及太阳能电池,特别是指本征隔离结构太阳能电池及其制造方法,它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/
27 CN101386413B 一种降低金属硅中氧、碳含量的方法 2011.05.18 本发明公开了一种降低金属硅中氧、碳含量的方法。本发明采用在硅液中吹入氧气、氢气和水蒸气,使氢气和氧气
28 CN101386410B 一种软化金属硅冶炼炉炉渣的方法 2011.04.27 本发明公开了一种软化金属硅冶炼炉炉渣的方法,包括以下步骤:将氟化钙粉、焦炭、二氧化硅以1∶3~5∶1
29 CN101760655B 一种细晶强化硅锡复合材料的方法 2011.04.27 本发明公开了一种细晶强化硅锡复合材料的方法,涉及一种硅锡材料。其首先按配比所需重量的硅及锡,然后将配
30 CN101385935B 金属硅冶炼炉水冷除尘的方法 2011.04.27 本发明涉及金属硅电弧高温提纯过程中的气体除尘方法。本发明在金属硅冶炼炉膛上方加设双层通水水套炉罩;在
31 CN101764177B 一种硅基太阳能薄膜的制备方法 2011.04.06 一种硅基太阳能薄膜的制备方法,涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤:首先将In溶解,然后将装有衬
32 CN101969087A 一种提高太阳能电池效率的方法 2011.02.09 该发明涉及一种提高太阳能电池效率的方法,属于太阳能电池领域。本发明利用掩膜的方式,对成品太阳能电池受
33 CN101391773B 弥散气体导入金属硅提纯法 2011.01.12 一种弥散气体导入金属硅提纯法,目的在于简化传统的通气导入方式,使气体能与硅熔液充分反应和延长盛硅容器
34 CN101863476A 一种去除硅中硼元素的方法 2010.10.20 一种去除硅中硼元素的方法,涉及半导体材料领域。本发明的方法是利用硅合金特性,将硅和液态时可溶解硼的金
35 CN101392306B 弥散贯通气体导入出气头制造方法 2010.09.08 一种弥散贯通气体导入出气头制造方法,该方法为在耐高温的微米级高纯金属氧化物颗粒中加入碱性液体,并搅拌
36 CN101386952B 一种硅铁的冶炼方法和硅铁冶炼炉 2010.09.08 本发明公开了一种硅铁的冶炼方法和硅铁冶炼炉。本发明采用中频感应合并直流电极的方法,同时提高石墨坩埚中
37 CN201570510U 一种新型硅片制绒设备 2010.09.01 本实用新型涉及一种新型硅片制绒设备,包括一储酸槽,其内装设有配制好的酸液;一反应槽,其内放有太阳能硅
38 CN101760665A 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法 2010.06.30 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法,属于复合材料领域。该方法按以下步骤进行:按照配比计算
39 CN101760776A 一种液相外延法制取薄膜的衬底夹具 2010.06.30 一种液相外延法制取薄膜的衬底夹具,涉及一种液相外延设备,其包括:一位于上端的连接轴,可拆卸地或固定地
40 CN101762158A 一种采用液态滤网冶金提纯的方法和装置 2010.06.30 一种采用液态滤网冶金提纯的方法和装置,属于冶金领域。本发明方法包括,定向凝固冶金提纯金属过程中加入一
41 CN101760655A 一种细晶强化硅锡复合材料的方法 2010.06.30 本发明公开了一种细晶强化硅锡复合材料的方法,涉及一种硅锡材料。其首先按配比所需重量的硅及锡,然后将配
42 CN101764177A 一种硅基太阳能薄膜的制备方法 2010.06.30 一种硅基太阳能薄膜的制备方法,涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤:首先将In溶解,然后将装有衬
43 CN101760775A 一种连续液相外延法制备薄膜的方法和装置 2010.06.30 一种连续液相外延法制备薄膜的方法和装置,属于液相外延技术领域。本发明使用一种至少具两个旋转单元的设备
44 CN101764178A 一种硅基太阳能薄膜的制备方法 2010.06.30 一种硅基太阳能薄膜的制备方法,属于半导体材料及太阳能电池材料领域。该方法包括以下步骤:首先将溶剂合金
45 CN101760777A 一种液相外延法制取薄膜的装置 2010.06.30 一种液相外延法制取薄膜的装置,涉及一种外延生长设备。其包括:一阀室,阀室内装有一升降旋转轴;一炉室,
46 CN101760779A 一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法 2010.06.30 一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法,属于冶金提纯领域。本发明的方法是在硅定向凝固提纯过程中加入一定量熔
47 CN201512416U 一种多晶硅铸锭炉的底部加热装置 2010.06.23 本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉的底部加热装置,其包括石墨棒组成的矩形发热体和两个电极,所述的石墨棒
48 CN201495105U 一种梯度控温的铸锭炉加热器 2010.06.02 本实用新型涉及一种梯度控温的铸锭炉加热器,其包括多个并联的U形石墨棒单元,所述的U形石墨棒单元上下多
49 CN101712474A 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法 2010.05.26 本发明公开了采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法,该方法采用中频感应炉,按一定质量比加入硅和铝
50 CN101713100A 一种减少单晶棒内应力的方法和装置 2010.05.26 本发明涉及一种减少单晶棒内应力的方法和装置。该方法包括将温度为200~300℃的单晶棒从炉室中取出后
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